Heavy-Ion-Induced Defects in Degraded SiC Power MOSFETs

Publiceringsår

2023

Upphovspersoner

Martinella, Corinna; Bathen, Marianne; Javanainen, Arto; Grossner, Ulrike

Abstrakt

Cathodoluminescence spectroscopy is used to investigate the formation of point- and extended defects in SiC power MOSFETs exposed to heavy-ions. Devices showing single event leakage current (SELC) effects are analysed and compared to pristine samples. Common luminescence peaks of defect centers localized in the thermal-SiO2 are identified, together with peaks at the characteristic wavelength of extended defects.

Visa mer

Organisationer och upphovspersoner

Jyväskylä universitet

Javanainen Arto

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Materials Science Forum

Förläggare

Trans Tech Publications

Volym

1090

Sidor

179-184

ISSN

0255-5476

Publikationsforum

62997

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Delvis öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Schweiz

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.4028/p-3y3lv4