Enhanced Charge Collection in SiC Power MOSFETs Demonstrated by Pulse-Laser Two-Photon Absorption SEE Experiments

Publiceringsår

2019

Upphovspersoner

Johnson, Robert A.; Witulski, Arthur F.; Ball, Dennis R.; Galloway, Kenneth F.; Sternberg, Andrew L.; Zhang, Enxia; Ryder, Landen D.; Reed, Robert A.; Schrimpf, Ronald D.; Kozub, John A.; Lauenstein, Jean-Marie; Javanainen, Arto

Organisationer och upphovspersoner

Jyväskylä universitet

Javanainen Arto

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

IEEE Transactions on Nuclear Science

Förläggare

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Volym

Nummer

Sidor

1694-1701

ISSN

0018-9499

Publikationsforum

57566

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1109/TNS.2019.2922883