Statistical Analysis of Heavy-Ion Induced Gate Rupture in Power MOSFETs—Methodology for Radiation Hardness Assurance

Publiceringsår

2012

Upphovspersoner

Ferlet-Cavrois, V.; Binois, C.; Carvalho, A.; Ikeda, N.; Inoue, M.; Eisener, B.; Gamerith, S.; Chaumont, G.; Pintacuda, F.; Javanainen, Arto; Schwank, J.R.; Shaneyfelt, M.R.; Lauenstein, J.-M.; Ladbury, R.L.; Muschitiello, M.; Poivey, C.; Mohammadzadeh, A.

Organisationer och upphovspersoner

Jyväskylä universitet

Javanainen Arto

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

IEEE Transactions on Nuclear Science

Förläggare

IEEE

Volym

Nummer

Sidor

2920-2929

ISSN

0018-9499

Publikationsforum

57566

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1109/TNS.2012.2223761