Effects of Heavy Ion and Proton Irradiation on a SLC NAND Flash Memory
Publiceringsår
2019
Upphovspersoner
Luza, Lucas Matana; Bosser, Alexandre; Gupta, Viyas; Javanainen, Arto; Mohammadzadeh, Ali; Dilillo, Luigi
Abstrakt
Space applications frequently use flash memories for mass storage data. However, the technology applied in the memory array and peripheral circuity are not inherently radiation tolerant. This work introduces the results of radiation test campaigns with heavy ions and protons on a SLC NAND Flash. Static tests showed different failures types. Single events upsets and raw error cross sections were presented, as well as an evaluation of the occurrences of the events. Characterization of effects on the embedded data registers was also performed.
Visa merOrganisationer och upphovspersoner
Aalto-universitetet
Bosser Alexandre
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Konferens
Artikelstyp
Annan artikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A4 Artikel i en konferenspublikationPublikationskanalens uppgifter
Moderpublikationens namn
Konferens
IEEE International Symposium on Defect and Fault Tolerance in VLSI and Nanotechnology Systems
Förläggare
Artikelnummer
8875475
ISSN
ISBN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
1
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Ja
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
Fysik; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1109/DFT.2019.8875475
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja