Alkylsilyl compounds as enablers of atomic layer deposition:analysis of (Et3Si)(3)As through the GaAs process

Publiceringsår

2016

Upphovspersoner

Sarnet, Tiina; Hatanpää, Timo; Laitinen, Mikko; Sajavaara, Timo; Mizohata, Kenichiro; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Mizohata Kenichiro

Leskelä Markku

Ritala Mikko

Sarnet Tiina

Hatanpää Timo

Jyväskylä universitet

Laitinen Mikko

Sajavaara Timo

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Journal of materials chemistry c

Moderpublikationens namn

Journal of Materials Chemistry C

Volym

Nummer

Sidor

449-454

ISSN

2050-7526

Publikationsforum

75355

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi; Materialteknik

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenade kungariket

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1039/c5tc03079j