Impact of post-ion implantation annealing on Se-hyperdoped Ge

Publiceringsår

2024

Upphovspersoner

Liu, Xiaolong; Mc Kearney, Patrick; Schäfer, Sören; Radfar, Behrad; Berencen, Yonder; Kentsch, Ulrich; Vähänissi, Ville; Zhou, Shengqiang; Kontermann, Stefan; Savin, Hele

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Radfar Behrad

Savin Hele

Vähänissi Ville

Liu Xiaolong

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

Applied Physics Letters

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

125

Nummer

Artikelnummer

042102

ISSN

0003-6951

Publikationsforum

51518

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Delvis öppen publikationskanal

Parallellsparad

Publiceringsavgift för öppen tillgång €

3273

Betalningsår för den öppen tillgång publiceringsavgiften