Modified self-assembly of InAs islands acting as stressors for strain-induced InGaAS(P)/InP

< Tillbaka till sökresultaten

Modified self-assembly of InAs islands acting as stressors for strain-induced InGaAS(P)/InP

Publiceringsår

2005

Upphovspersoner

Sormunen, Jaakko; Riikonen, Juha; Mattila, Marco; Sopanen, Markku; Lipsanen, Harri

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Lipsanen Harri Orcid -palvelun logo

Riikonen Juha

Mattila Marco

Sopanen Markku Orcid -palvelun logo

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Nanotechnology

Förläggare

Institute of Physics Publishing

Volym

16

Nummer

9

Sidor

1630-1635

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Nyckelord

InAs islands; photoluminescence; quantum dot; self-assembled growth; Stressors

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1088/0957-4484/16/9/038

Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling

Ja
Modified self-assembly of InAs islands acting as stressors for strain-induced InGaAS(P)/InP - Forskning.fi