Boron-implanted black silicon photodiode with close-to-ideal responsivity from 200 to 1000 nm
Publiceringsår
2023
Upphovspersoner
Setälä, Olli; Chen, Kexun; Pasanen, Toni; Liu, Xiaolong; Radfar, Behrad; Vähänissi, Ville; Savin, Hele
Organisationer och upphovspersoner
Aalto-universitetet
Radfar Behrad 
Savin Hele
Chen Kexun
Setälä Olli
Pasanen Toni
Vähänissi Ville
Liu Xiaolong
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal/Serie
Förläggare
Volym
10
Nummer
6
Sidor
1735-1741
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
2
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ja
Öppen tillgång till publikationskanalen
Delvis öppen publikationskanal
Parallellsparad
Ja
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
Nanoteknologi
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1021/acsphotonics.2c01984
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja