Modulation of Contact Resistance of Dual-Gated MoS<sub>2</sub> FETs Using Fermi-Level Pinning-Free Antimony Semi-Metal Contacts
Publiceringsår
2023
Upphovspersoner
Ngo, Tien Dat; Huynh, Tuyen; Jung, Hanggyo; Ali, Fida; Jeon, Jongwook; Choi, Min Sup; Yoo, Won Jong
Organisationer och upphovspersoner
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Förläggare
Volym
10
Nummer
21
Artikelnummer
2301400
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
1
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ja
Öppen tillgång till publikationskanalen
Helt öppen publikationskanal
Parallellsparad
Ja
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
Materialteknik
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1002/advs.202301400
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja