Evidence of defect formation in monolayer MoS2 at ultralow accelerating voltage electron irradiation
Publiceringsår
2023
Upphovspersoner
Dash, Ajit Kumar; Swaminathan, Hariharan; Berger, Ethan; Mondal, Mainak; Lehenkari, Touko; Prasad, Pushp Raj; Watanabe, Kenji; Taniguchi, Takashi; Komsa, Hannu-Pekka; Singh, Akshay
Organisationer och upphovspersoner
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Förläggare
Nummer
3
Artikelnummer
035002
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
3
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Öppen tillgång till publikationskanalen
Delvis öppen publikationskanal
Licens för förläggarens version
Annan licens
Parallellsparad
Ja
Parallellagringens licens
CC BY NC ND
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Publiceringsland
Förenade kungariket
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1088/2053-1583/acc7b6
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja