Effect of InP passivation on carrier recombination in InGaAs/GaAs Surface Quantum Wells
Publiceringsår
1998
Upphovspersoner
Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku; Ahopelto, Jouni; Sandman, J.; Feldman, J.
Organisationer och upphovspersoner
Teknologiska forskningscentralen VTT Ab
Ahopelto Jouni
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Konferens
Artikelstyp
Annan artikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A4 Artikel i en konferenspublikationPublikationskanalens uppgifter
Moderpublikationens namn
1998 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Konferens
10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 1998
Förläggare
IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers
Sidor
549-551
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ingen information
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object]
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1109/ICIPRM.1998.712601
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Nej