Direct Band Gap Semiconductors with Two- and Three-Dimensional Triel-Phosphide Frameworks (Triel=Al, Ga, In)
Publiceringsår
2024
Upphovspersoner
Restle, Tassilo M.F.; Zeitz, Sabine; Stanley, Philip M.; Karttunen, Antti J.; Meyer, Jan; Raudaschl-Sieber, Gabriele; Klein, Wilhelm; Fässler, Thomas F.
Organisationer och upphovspersoner
Aalto-universitetet
Karttunen Antti 
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Förläggare
Volym
30
Nummer
18
Artikelnummer
e202304097
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
2
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ja
Öppen tillgång till publikationskanalen
Delvis öppen publikationskanal
Parallellsparad
Ja
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
Kemi
Nyckelord
crystal structure; direct band gap; Indium; phosphide; SEMICONDUCTOR
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1002/chem.202304097
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja