Analysis of the performance of Nb(2)O5-doped SiO2-based MIM devices for memory and neural computation applications

Publiceringsår

2021

Upphovspersoner

Ossorio, O. G.; Vinuesa, G.; Garcia, H.; Sahelices, B.; Duenas, S.; Castan, H.; Ritala, M.; Leskela, M.; Kemell, M.; Kukli, K.

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Kemell M.

Leskela M.

Ritala M.

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

Solid-State Electronics

Moderpublikationens namn

Solid-State Electronics

Volym

186

Artikelnummer

108114

ISSN

0038-1101

Publikationsforum

67380

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Kemi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenade kungariket

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1016/j.sse.2021.108114