Role of ALD Al2O3 Surface Passivation on the Performance of p-Type Cu2O Thin Film Transistors

Publiceringsår

2021

Upphovspersoner

Napari, Mari; Huq, Tahmida N.; Meeth, David J.; Heikkilä, Mikko J.; Niang, Kham M.; Wang, Han; Iivonen, Tomi; Wang, Haiyan; Leskelä, Markku; Ritala, Mikko; Flewitt, Andrew J.; Hoye, Robert L. Z.; MacManus-Driscoll, Judith L.

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Leskelä Markku

Ritala Mikko

Heikkilä Mikko J.

Iivonen Tomi

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

ACS Applied Materials & Interfaces

Moderpublikationens namn

ACS Applied Materials & Interfaces

Volym

Nummer

Sidor

4156-4164

ISSN

1944-8244

Publikationsforum

50178

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Öppen tillgång till publikationskanalen

Delvis öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1021/acsami.0c18915