Monolithic Ge integration on the 3 µm SOI platform for 40 GHz photodiodes
Publiceringsår
2020
Upphovspersoner
Aalto, Timo; Vehmas, Tapani; Kapulainen, Markku; Heimala, Päivi; Delrosso, Giovanni; Sun, Fei; Gao, Feng
Organisationer och upphovspersoner
Teknologiska forskningscentralen VTT Ab
Sun Fei 
Gao Feng
Delrosso Giovanni
Kapulainen Markku
Heimala Päivi
Vehmas Tapani
Aalto Timo
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Konferens
Artikelstyp
Annan artikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A4 Artikel i en konferenspublikationPublikationskanalens uppgifter
Journal
Moderpublikationens namn
PRiME 2020: SiGe, Ge, and Related Compounds: Materials, Processing, and Devices 9
Förläggare
Volym
98
Nummer
5
Sidor
303-313
ISSN
ISBN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
1
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Teknisk kemi, kemisk processteknik; Materialteknik
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1149/09805.0303ecst
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja