Effect of InP passivation on carrier recombination in In<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>As/GaAs surface quantum wells
Publiceringsår
1999
Upphovspersoner
Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku; Ahopelto, Jouni; Sandmann, J.; Feldmann, J.
Organisationer och upphovspersoner
Teknologiska forskningscentralen VTT Ab
Ahopelto Jouni
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Volym
38
Sidor
1133-1134
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
1
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object]
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1143/JJAP.38.1133
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Nej