Influence of nitride and oxide cap layers upon the annealing of 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum wells
Publiceringsår
2004
Upphovspersoner
Liu, H.F.; Peng, C.S.; Likonen, Jari; Jouhti, T.; Karirinne, S.; Konttinen, J.; Pessa, M.
Organisationer och upphovspersoner
Teknologiska forskningscentralen VTT Ab
Likonen Jari 
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Volym
95
Nummer
8
Sidor
4102 - 4104
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
2
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object]
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1063/1.1687988
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Nej