Thermal stability of in-grown vacancy defects in GaN grown by hydride vapor phase epitaxy
Publiceringsår
2006
Upphovspersoner
Tuomisto, F.; Saarinen, K.; Paskova, T.; Monemar, B.; Bockowski, M.; Suski, T.
Organisationer och upphovspersoner
Aalto-universitetet
Tuomisto Filip 
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Förläggare
Volym
99
Nummer
6
Artikelnummer
066105
Sidor
1-3
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
2
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ja
Öppen tillgång till publikationskanalen
Helt öppen publikationskanal
Parallellsparad
Ja
Övriga uppgifter
Nyckelord
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1063/1.2180450
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja