Cryogenic indium-phosphide HEMT low-noise amplifiers at V-band

Publiceringsår

2000

Upphovspersoner

Tanskanen, J.M.; Kangaslahti, P.; Ahtola, H.; Jukkala, P.; Karttaavi, T.; Lahdes, M.; Varis, J.; Tuovinen, J.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Förläggare

IEEE

Volym

Nummer

Sidor

1283-1286

ISSN

0018-9480

Publikationsforum

57558

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej