Geometric linewidth and the impact of thermal processing on the stress regimes induced by electroless copper metallization for Si integrated circuit interconnect technology

Publiceringsår

2004

Upphovspersoner

McNally, P.J; Kanatharana, J.; Toh, B.H.W; McNeill, D.W; Danilewsky, A.N; Tuomi, T.; Knuuttila, L.; Riikonen, J.; Toivonen, Juha; Simon, R.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Journal of Applied Physics

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

Nummer

Sidor

7596-7602

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej