Stress distribution of GaN layer grown on micro-pillar patterned GaN templates

Publiceringsår

2013

Upphovspersoner

Subramaniyam, Nagarajan; Svensk, Olli; Ali, Muhammad; Naresh-Kumar, Gunasekar; Trager-Cowan, Carol; Suihkonen, Sami; Sopanen, Markku; Lipsanen, Harri

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Lipsanen Harri

Sopanen Markku

Ali Muhammad

Subramaniyam Nagarajan

Svensk Olli

Suihkonen Sami

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

Applied Physics Letters

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

103

Nummer

Artikelnummer

012102

Sidor

1-4

ISSN

0003-6951

Publikationsforum

51518

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Helt öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Materialteknik; Nanoteknologi; Medicinsk bioteknologi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1063/1.4813077