Modeling phosphorus diffusion gettering of iron in single crystal silicon

Publiceringsår

2009

Upphovspersoner

Haarahiltunen, Antti; Savin, Hele; Yli-Koski, Marko; Talvitie, Heli; Sinkkonen, Juha

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Savin Hele

Yli-Koski Marko

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Journal of Applied Physics

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

105

Nummer

Sidor

ISSN

0021-8979

Publikationsforum

59616

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Helt öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Materialteknik; Nanoteknologi; Medicinsk bioteknologi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej