Effect of growth polarity on vacancy defect and impurity incorporation in dislocation-free GaN

Publiceringsår

2005

Upphovspersoner

Tuomisto, Filip; Saarinen, Kimmo; Lucznik, B.; Grzegory, I.; Teisseyre, H.; Suski, T.; Porowski, S.; Hageman, P.R.; Likonen, J.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Tuomisto Filip

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Applied Physics Letters

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

Nummer

Artikelnummer

031915

Sidor

1-3

ISSN

0003-6951

Publikationsforum

51518

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Helt öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1063/1.1854745