GaAs surface passivation by plasma-enhanced atomic-layer-deposited aluminum nitride

Publiceringsår

2010

Upphovspersoner

Bosund, M.; Mattila, P.; Aierken, A.; Hakkarainen, T.; Koskenvaara, H.; Sopanen, M.; Airaksinen, V.M.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Aierken Abuduwayiti

Koskenvaara Hannu

Sopanen Markku

Mattila Päivi

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

Applied Surface Science

Förläggare

Elsevier

Volym

256

Nummer

Sidor

7434-7437

ISSN

0169-4332

Publikationsforum

51536

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Materialteknik; Nanoteknologi; Medicinsk bioteknologi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1016/j.apsusc.2010.05.085