Ab initio study of oxygen point defects in GaAs, and AIN
Publiceringsår
1996
Upphovspersoner
Mattila, T.; Nieminen, R.M.
Organisationer och upphovspersoner
Aalto-universitetet
Nieminen Risto
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Physical Review B
Förläggare
American Physical Society
Volym
54
Nummer
23
Sidor
16676-16682
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ja
Öppen tillgång till publikationskanalen
Helt öppen publikationskanal
Parallellsparad
Ja
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1103/PhysRevB.54.16676
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja