Atomic layer deposition (ALD) of high quality Ga2O3 thin films from a dimeric dialkylamido-bridged gallium complex
Publiceringsår
2005
Upphovspersoner
Dezelah IV, Charles L.; Niinistö, Jaakko; Putkonen, Matti; Arstila, Kai; Winter, Charles H.; Niinistö, Lauri
Organisationer och upphovspersoner
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Konferens
Artikelstyp
Annan artikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A4 Artikel i en konferenspublikationPublikationskanalens uppgifter
Moderpublikationens namn
Förläggare
American Vacuum Society
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja