Interfacial oxide growth in silicon/high-k oxide interfaces: First principles modeling of the Si-HfO<sub>2</sub> interface

Publiceringsår

2006

Upphovspersoner

Hakala, M. H.; Foster, A. S.; Gavartin, J.L.; Havu, P.; Puska, M. J.; Nieminen, R. M.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Foster Adam

Puska Martti

Hakala Mikko

Havu Paula

Nieminen Risto

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Journal of Applied Physics

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

100

Nummer

Artikelnummer

043708

Sidor

1-7

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Helt öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1063/1.2259792