Structural, electrical and optical properties of defects in Si-doped GaN grown by molecular beam epitaxy on HVPE GaN

Publiceringsår

2002

Upphovspersoner

Laukkanen, P.; Lehkonen, S.; Uusimaa, P.; Pessa, M.; Oila, J.; Hautakangas, S.; Saarinen, K.; Likonen, J.; Keränen, J.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

Journal of Applied Physics

Förläggare

American Institute of Physics

Volym

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej