Rapid Thermal Annealing of Si(1-x)Ge(x) Layers Formed by Germanium Ion Implantation

Publiceringsår

1994

Upphovspersoner

Xia, Z.; Saarilahti, J.; Ronkainen, H.; Eränen, S.; Suni, I.; Molarius, J.; Kuivalainen, P.; Ristolainen, E.; Tuomi, T.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Kuivalainen Pekka

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Nuclear Instruments and Methods

Nummer

B 88

Sidor

247-254

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej