On the formation of vacancy defects in III-nitride semiconductors

Publiceringsår

2012

Upphovspersoner

Tuomisto, F.; Mäki, J.-M.; Rauch, C.; Makkonen, I.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Rauch Christian

Tuomisto Filip

Makkonen Ilja

Mäki Jussi-Matti

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

Journal of Crystal Growth

Förläggare

Elsevier

Volym

350

Nummer

Sidor

93-97

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Maskin- och produktionsteknik; Miljöteknik; Nanoteknologi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1016/j.jcrysgro.2011.12.031