Synchrotron topography and X-ray diffraction study of GaInP layers grown on GaAs/Ge

Publiceringsår

2009

Upphovspersoner

Lankinen, A.; Knuuttila, L.; Kostamo, P.; Tuomi, T.O.; Lipsanen, H.; McNally, P.J.; "O'Reilly", L.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Lipsanen Harri

Kostamo Pasi

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Journal of Crystal Growth

Förläggare

Elsevier

Volym

311

Nummer

Sidor

4619-4627

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Materialteknik; Nanoteknologi; Medicinsk bioteknologi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

DOI

10.1016/j.jcrysgro.2009.08.032