Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
Publiceringsår
2007
Upphovspersoner
Suihkonen, Sami; Lang, Teemu; Svensk, Olli; Sormunen, Jaakko; Törmä, Pekka; Sopanen, Markku; Lipsanen, Harri; Odnoblyudov, Maxim; Bougrov, Vladislav
Organisationer och upphovspersoner
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Förläggare
Volym
300
Nummer
2
Sidor
324-329
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
1
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2007.01.006
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja