Polarity dependent properties of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy on GaN bulk crystals

Publiceringsår

2003

Upphovspersoner

Tuomisto, F.; Suski, T.; Teisseyre, H.; Krysko, M.; Leszczynski, M.; Lucznik, B.; Grzegory, I.; Porowski, S.; Wasik, D.; Witowski, A.; Gebicki, W.; Hageman, P.; Saarinen, K.

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Tuomisto Filip

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Physica Status Solidi. B: Basic Research

Förläggare

Wiley

Volym

240

Nummer

Sidor

289-292

ISSN

0370-1972

Publikationsforum

65011

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1002/pssb.200303259