The Effect of Oxygenation on the Radiation Hardness of Silicon Studied by Surface Photovoltage Method
Publiceringsår
2002
Upphovspersoner
Yli-Koski, Marko; Härkönen, Jaakko; Tuominen, Eija; Lassila-Perini, Kati; Mehtälä, P.; Nummela, Saara; Nysten, J.; Heikkilä, Paula; Ovchinnikov, Victor; Palokangas, Martti; Palmu, Leena; Kallijärvi, S.; Alanko, Tommi; Laitinen, Pauli; Pirojenko, A; Riihimäki, I.; Tiourine, G.; Virtanen, Ari
Visa merOrganisationer och upphovspersoner
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
IEEE Transactions on Nuclear Science
Förläggare
IEEE
Volym
49
Nummer
6
Sidor
2910-2913
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja