P-Channel GaN transistor based on p-GaN/AlGaN/GaN on Si

Publiceringsår

2019

Upphovspersoner

Chowdhury, Nadim; Lemettinen, Jori; Xie, Qingyun; Zhang, Yuhao; Rajput, Nitul S.; Xiang, Peng; Cheng, Kai; Suihkonen, Sami; Then, Han Wui; Palacios, Tomas

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Lemettinen Jori

Suihkonen Sami

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

IEEE Electron Device Letters

Förläggare

IEEE

Volym

Nummer

Artikelnummer

8713471

Sidor

1036-1039

ISSN

0741-3106

Publikationsforum

57393

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

DOI

10.1109/LED.2019.2916253