The Role of Defects in the Resistive Switching Behavior of Ta2O5-TiO2-Based Metal-Insulator-Metal (MIM) Devices for Memory Applications

Publiceringsår

2018

Upphovspersoner

Duenas, S.; Castan, H.; Garcia, H.; Ossorio, O. G.; Dominguez, L. A.; Seemen, H.; Tamm, A.; Kukli, K.; Aarik, J.

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Kukli K.

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Volym

Nummer

Sidor

4938-4943

ISSN

0361-5235

Publikationsforum

60241

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Kemi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1007/s11664-018-6105-0