Study of the influence of the dielectric composition of Al/Ti/ZrO2:Al2O3/TiN/Si/Al structures on the resistive switching behavior for memory applications

Publiceringsår

2018

Upphovspersoner

Castán, H.; Dueñas, S.; Kukli, K.; Kemell, M.; Ritala, M.; Leskelä, M.

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Kukli K.

Kemell M.

Leskelä M.

Ritala M.

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Konferens

Artikelstyp

Annan artikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A4 Artikel i en konferenspublikation

Publikationskanalens uppgifter

Volym

Nummer

Sidor

143-148

ISSN

1938-5862

Publikationsforum

55028

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Kemi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1149/08508.0143ecst