Admittance memory cycles of Ta2O5-ZrO2-based RRAM devices

Publiceringsår

2017

Upphovspersoner

Duenas, S.; Castan, H.; Ossorio, O. G.; Dominguez, L. A.; Gracia, H.; Kalam, K.; Kukli, K.; Ritala, M.; Leskelä, M.

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Leskelä M.

Ritala M.

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Konferens

Artikelstyp

Annan artikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A4 Artikel i en konferenspublikation

Publikationskanalens uppgifter

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object]

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.1109/DCIS.2017.8311627