The impact of vacancy defects on CNT interconnects From statistical atomistic study to circuit simulations

Publiceringsår

2017

Upphovspersoner

Lee, Jaehyun; Berrada, Salim; Liang, Jie; Sadi, Toufik; Georgiev, Vihar P.; Todri-Sanial, Aida; Kalita, Dipankar; Ramos, Raphael; Okuno, Hanako; Dijon, Jean; Asenov, Asen

Organisationer och upphovspersoner

Aalto-universitetet

Sadi Toufik

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Konferens

Artikelstyp

Annan artikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A4 Artikel i en konferenspublikation

Publikationskanalens uppgifter

Artikelnummer

8085288

Sidor

157-160

ISBN

978-4-86348-610-2

Publikationsforum

5475

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Data- och informationsvetenskap; Medicinsk teknik

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Nej

DOI

10.23919/SISPAD.2017.8085288