High-<i>k</i> GaAs metal insulator semiconductor capacitors passivated by <i>ex-situ </i>plasma-enhanced atomic layer deposited AlN for Fermi-level unpinning

Publiceringsår

2012

Upphovspersoner

Jussila, Henri; Mattila, Päivi; Oksanen, Jani; Perros, Alexander; Riikonen, Juha; Bosund, Markus; Varpula, Aapo; Huhtio, Teppo; Lipsanen, Harri; Sopanen, Markku

Organisationer och upphovspersoner

Teknologiska forskningscentralen VTT Ab

Varpula Aapo

Aalto-universitetet

Perros Alexander

Lipsanen Harri

Jussila Henri

Oksanen Jani

Riikonen Juha

Sopanen Markku

Mattila Päivi

Huhtio Teppo

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Applied physics letters

Volym

100

Nummer

Artikelnummer

071606

ISSN

0003-6951

Publikationsforum

51518

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Öppen tillgång till publikationskanalen

Helt öppen publikationskanal

Parallellsparad

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; Kemi; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Materialteknik; Nanoteknologi; Medicinsk bioteknologi

Nyckelord

[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Nej

Sampublikation med ett företag

DOI

10.1063/1.3687199