Nucleation and Growth of the HfO2 Dielectric Layer for Graphene-Based Devices
Publiceringsår
2015
Upphovspersoner
Oh Il-Kwon, Tanskanen Jukka, Jung Hanearl, Kim Kangsik, Lee Mi Jin, Lee Zonghoon, Lee Seoung-Ki, Lee Jong-Hyun, Lee Chang Wan, Kim Kwanpyo, Kim Hyungjun, Lee Han-Bo-Ram
Organisationer och upphovspersoner
Östra Finlands universitet
Tanskanen Jukka
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Tidning
Artikelstyp
En originalartikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskriftPublikationskanalens uppgifter
Journal
Volym
27
Nummer
17
Sidor
5868-5877
ISSN
Publikationsforum
Publikationsforumsnivå
3
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Ingen information
Parallellsparad
Okänd
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
Kemi
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Ja
Sampublikation med ett företag
Okänd
DOI
10.1021/acs.chemmater.5b01226
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja