Hot-electron-related degradation in InAlN/GaN high-electron-mobility transistors

Publiceringsår

2014

Upphovspersoner

Tapajna, Milan; Killat, Nicole ; Palankovski, Vassil; Gregusova, Dagmar; Cico, Karol; Carlin, Jean-Francois; Grandjean, Nicolas; Kuball, Martin; Kuzmik, Jan

Organisationer och upphovspersoner

Uleåborgs universitet

Palankovski Vassil

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal/Serie

IEEE transactions on electron devices

Nummer

Sidor

2793-2801

ISSN

0018-9383

Publikationsforum

57538

Publikationsforumsnivå

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Nej

Parallellsparad

Nej

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik

Publiceringsland

Förenta staterna (USA)

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag

Okänd

DOI

10.1109/TED.2014.2332235