Atomic-layer-deposited erbium-lasers for high-speed data centers

< Tillbaka till sökresultaten

Atomic-layer-deposited erbium-lasers for high-speed data centers

Projektbeskrivning

Piifotoniikka on noussut viimeisen vuosikymmenen aikana yhdeksi tutkituimmista ja kehittyneimmistä osa-alueista fotoniikassa ja optoelektroniikassa. Yksi tärkeimmistä syistä tähän on sen kyky kehittää mikroelektroniikka-, datayhteys- ja tietoliikennetekniikoita integroimalla optisia toimintoja integroituihin piireihin. Piifotoniikkaa hyödyntämällä voidaan saavuttaa lukuisia ominaisuuksia, kuten nopeampi vasteaika, suurempi lähetyskaistanleveys ja pienempi virrankulutus edullisissa, erittäin pienikokoisissa pii-pohjaisissa valokanavarakenteissa. Joitakin keskeisiä komponentteja, kuten vahvistimia ja lasereita, ei kuitenkaan ole vielä pystytty toteuttamaan piifotoniikassa kustannustehokkailla menetelmillä. Tämän projektin tarkoitus on kehittää suorituskykyisiä ja kustannustehkaita integroituja laserlaitteita piifotoniikan sovelluksiin käyttämällä atomikerroskasvatusmenetelmää, ja tuoda liiketoimintaa Suomeen kaupallistamalla tämä teknologia.
Visa mer

Startår

2021

Slutår

2022

Beviljade finansiering

517 000 €

Kontaktperson

John-Olof Rönn

Finansiär

Innovaatiorahoituskeskus Business Finland

Typ av finansiering

Nya kunskaper och affärsverksamheter av forskningsidéer

Utlysning

Innovaatiorahoituskeskus Business Finland 2020

Övriga uppgifter

Finansieringsbeslutets nummer

42521/31/2020