JYFL-ACCLAB-RADEF_2024-03 Temperature dependence of heavy ion radiation sensitivity of 2nd gen SiC power MOSFETs

Beskrivning

This dataset contains data of Xe-126 irradiation tests of 2nd gen. SiC MOSFETs (CPM2-1200-0080B) at different temperatures. Temperature dependence of leakage current degradation was observed.

Visa mer

Publiceringsår

2024

Typ av data

Upphovspersoner

ETH Zurich

Martinella, Corinna - Upphovsperson

Jyväskylä universitet - Rättighetsinnehavare, Utgivare

Fysiikan laitos

Jaatinen, Jukka - Medarbetare

Rossi, Mikko - Medarbetare

Javanainen, Arto - Upphovsperson

Kettunen, Heikki - Upphovsperson

Niskanen, Kimmo - Upphovsperson

Vanderbilt University

Harris, Phoenix - Upphovsperson

Sengupta, Arijit - Upphovsperson

Witulski, Arthur - Upphovsperson

Projekt

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Fysik; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik

Språk

engelska

Öppen tillgång

Embargo

Licens

Creative Commons Attribution 4.0 International (CC BY 4.0)

Nyckelord

heavy ion irradiation, silicon carbide

Ämnesord

joniserande strålning, kraftelektronik

Temporal täckning

undefined