Vertical excitation profile in diffusion injected multi-quantum well light emitting diode structure
Publiceringsår
2015
Upphovspersoner
Riuttanen, Lauri; Kivisaari, Pyry; Svensk, Olli; Vasara, Teemu; Myllys, Pertti; Oksanen, Jani; Suihkonen, Sami
Organisationer och upphovspersoner
Aalto-universitetet
Oksanen Jani
Publikationstyp
Publikationsform
Artikel
Moderpublikationens typ
Konferens
Artikelstyp
Annan artikel
Målgrupp
VetenskapligKollegialt utvärderad
Kollegialt utvärderadUKM:s publikationstyp
A4 Artikel i en konferenspublikationPublikationskanalens uppgifter
Moderpublikationens namn
Konferens
Gallium Nitride Materials and Devices
Förläggare
SPIE
Volym
9363
Artikelnummer
93632A
ISBN
Öppen tillgång
Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst
Nej
Parallellsparad
Nej
Övriga uppgifter
Vetenskapsområden
Fysik; Kemi; El-, automations- och telekommunikationsteknik, elektronik; Materialteknik; Nanoteknologi; Medicinsk bioteknologi
Nyckelord
[object Object],[object Object],[object Object]
Identifierade tema
[object Object]
Förlagets internationalitet
Internationell
Språk
engelska
Internationell sampublikation
Nej
Sampublikation med ett företag
Nej
DOI
10.1117/12.2077549
Publikationen ingår i undervisnings- och kulturministeriets datainsamling
Ja