Influence of atomic layer deposition chemistry on high-k dielectrics for charge trapping memories

Publiceringsår

2012

Upphovspersoner

Nikolaou, Nikolaos; Dimitrakis, Panagiotis; Normand, Pascal; Ioannou-Sougleridis, Vassilios; Giannakopoulos, Konstantinos; Mergia, Konstantina; Kukli, Kaupo; Niinistö, Jaakko; Ritala, Mikko; Leskelä, Markku

Organisationer och upphovspersoner

Helsingfors universitet

Niinistö Jaakko

Kukli Kaupo

Leskelä Markku

Ritala Mikko

Publikationstyp

Publikationsform

Artikel

Moderpublikationens typ

Tidning

Artikelstyp

En originalartikel

Målgrupp

Vetenskaplig

Kollegialt utvärderad

UKM:s publikationstyp

A1 Originalartikel i en vetenskaplig tidskrift

Publikationskanalens uppgifter

Journal

Solid-State Electronics

Moderpublikationens namn

Solid-State Electronics

Volym

Sidor

38-47

ISSN

0038-1101

Publikationsforum

67380

Öppen tillgång

Öppen tillgänglighet i förläggarens tjänst

Ingen information

Parallellsparad

Okänd

Övriga uppgifter

Vetenskapsområden

Kemi

Publiceringsland

Förenade kungariket

Förlagets internationalitet

Internationell

Språk

engelska

Internationell sampublikation

Sampublikation med ett företag